Главное


Электроника

IДЕЛ>(3 … 5)IП.Б

IДЕЛ>0,15 мА

Выберем IДЕЛ = 0,16 мА

7. Рассчитаем сопротивления в цепи базы RБ1 и RБ2 (цепь смещения постоянным напряжением):

RБ2=(UП.БЭ+IП.ЭRЭ1)/IДЕЛ,

RБ2=(0,7 В+12 мА×150)/0,16 мА=15,625 кОм

Расчётные значения сопротивлений схемы следует сразу после вычислений заменять номинальными значениями сопротивлений резисторов из ряда Е24. Шкала номинальных сопротивлений постоянных резисторов общего применения для этого ряда определяется числовыми коэффициентами

,0; 1,1; 1,2; 1,3; 1,5; 1,6; 1,8; 2,0; 2,2; 2,4; 2,7; 3,0; 3,3; 3,6; 3,9; 4,3; 4,7; 5,1; 5,6; 6,2; 6,8; 7,5; 8,2; 9,1 умножаемыми на любое число, кратное 10.

Выберем номинальное сопротивление RБ2=15,7 кОм (7,5 кОм и 8,2 кОм) и рассчитаем второе сопротивление:

RБ1=(ЕК/IДЕЛ) - RБ2

RБ1=30/0,16 - 15,7=171,8 кОм

В дальнейшем при экспериментальной настройке режима покоя значение сопротивления RБ1 может быть скорректировано с учетом погрешности вычислений.

8. Рассчитаем значения малосигнальных параметров транзистора в рабочей точке, приняв значение температурного потенциала полупроводника при комнатной температуре φТ=25мВ, а значение дифференциального коэффициента передачи тока базы β≈ ВMIN.

Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода:

Э≈φТ/IП.Э,Э≈25×10-3/12×10-3 =2,1 Ом

Дифференциальное сопротивление коллектора:

К≈103/IП.К.К≈103/12×10-3 = 83,3 кОм

Дифференциальное сопротивление коллектор-эмиттер:

КЭ≈(5 … 10) rК /β

rКЭ≈10×83,3×103/400 ≈ 2,08 кОм

9. Основными параметрами каскада, характеризующими его усилительные свойства в полосе пропускания, считают входное сопротивление, выходное сопротивление и коэффициент усиления напряжения. Эти параметры значительно зависят от сопротивления обратной связи каждой из рассчитываемых схем. Глубина отрицательной обратной связи определяется соотношением

F =1+RОС/rЭ.

Сопротивление обратной связи по постоянному напряжению RОС= стабилизирует режим покоя, а сопротивление обратной связи по переменному напряжению RОС≈ уменьшает коэффициент усиления напряжения и нелинейные искажения в F раз.

На данном этапе расчета необходимо для заданной схемы усилителя определить значения сопротивления обратной связи RОС и глубину обратной связи F по постоянному и переменному напряжению.

В качестве сопротивления обратной связи по постоянному напряжению выступает сопротивление

RОС= = RЭ1.

По переменному напряжению в полосе пропускания усилителя сопротивлением обратной связи для заданной схемы является RОС≈ = RЭ1.

Это позволяет выполнять независимый подбор параметров усилителя на постоянном и переменном токе. При выборе RЭ2 должно выполняться условиеRЭ2 > 3 rЭ.

Произведем расчеты сопротивлений и глубины обратной связи для схемы 2б:

RОС= = 150 Ом,

F==1+150/2,1 = 72,4,

RОС≈ = 150,

F≈=1+150/2,5=72,4.

10.Выходное дифференциальное сопротивление для каждой из схем можно рассчитать по формуле

rВЫХ ≈ rКЭ || RК.

Для данной схемы можно упрощенно принятьВЫХ ≈ RК ≈ 1,1 кОм

Входное дифференциальное сопротивление по постоянному напряжению:

Перейти на страницу: 1 2 3 4 5 6

Другие статьи по теме

Технологический процесс изготовления платы интегральной микросхемы-фильтра
Микроэлектроника как современное направление проектирования и производства электронной аппаратуры различного назначения является катализатором научно-технического прогресса. Автоматизац ...

Графен в электронике сегодня и завтра
Графен был экспериментально обнаружен в 2004 г. двумя английскими учеными российского происхождения - Андреем Геймом и Константином Новосёловым, за что они вскоре получили Нобелевскую п ...

Технические средства, применяемые в деловом общении
В деловом мире в условиях обострения конкуренции деловое общение становится важным фактором, определяющим успех деятельности не только отдельного человека, но подчас и целой фирмы ...

www.techspirit.ru © 2021