Главное


Расчет параметров второго каскада

Возьмём выходную емкость первого каскада С1 =3 пФ. Частота неосновного полюса во много раз больше единичной частоты усиления (порядка 10), примем . Получим, что эффективная крутизна будет равна:

мА/В

В усилителях класса А/АВ ток входного транзистора второго каскада больше, чем ток транзистора нагрузки, поэтому берем

мА/В

мА/В

При L=0,5 мкм

мкм

мА

мкм

мА

Ток через транзисторы Мр8 и Мn6 меньше, чем через Мр10 и Мn12, берем в 4 раза меньше. Получаем при L=0,5 мкм:

мА/В

мА

мкм

мА/В

мА

мкм

Ширины транзисторов первого каскада (L=1 мкм):

мкм

мкм

мкм

Крутизны транзисторов первого каскада:

Ширины транзисторов второго каскада (L=0,5 мкм):

мкм

мкм

мкм

мкм

Крутизны транзисторов второго каскада:

Расчет емкостей:

Таблица 1. Значений емкостей

Транзистор

Cgd, фФ

Cgs, пФ

Cbd=Сbs, фФ

Mp1

31

0,9

130

Mp2

31

0,9

130

Mp3

31

0,9

130

Mp4

31

0,9

130

Mn1

7,4

0,2

51,4

Mn2

7,4

0,2

51,4

Mn3

7,4

0,2

51,4

Mn4

7,4

0,2

51,4

Mn11

71,8

1,1

212,9

Mn12

71,8

1,1

212,9

Mp9

170,7

2,4

695,2

Mp10

170,7

2,4

695,2

Mp8

21,2

0,3

86,6

Mp7

21,2

0,3

86,6

Mn5

10,4

0,15

71,7

Mn6

10,4

0,15

71,7

Мр13

62,4

1,8

254,2

Перейти на страницу: 1 2

Другие статьи по теме

Исследование параметров оптоволоконного тракта
За последние годы достигнут значительный прогресс в создании новых перспективных средств связи, повышающих качество и эффективность передачи информации различного вида, расширяющих услу ...

Локальная вычислительная сеть
Введение Компьютеры появились в жизни человека не так уж давно, но почти любой человек может с твердой уверенностью сказать, что будущее - за компьютерными технологиями. Процесс развит ...

Использование среды Cadence Virtuoso для проектирования интегральных микросхем
Принятая на сегодняшний день модель развития промышленности предполагает широкую роботизацию‚ создание гибких автоматизированных производств и отводит особое место микроэлектронике как с ...

www.techspirit.ru © 2020