Исходя из назначения проектируемого устройства и специфики области его применения, рассмотрим основные критерии, согласно которым будет вестись последующая разработка.
К основным критериям разработки источника бесперебойного питания стоит отнести надежность и стойкость к внешним воздействиям (в частности, к вибрационным и ударным нагрузкам).
Для повышения надежности блока, при его проектировании, предлагается:
- обеспечить легкие электрические, тепловые рабочие режимы деталей и материалов конструкции, их правильный выбор;
обеспечить надежную защиту от внешних и внутренних дестабилизирующих факторов;
широко использовать интегральные микросхемы (далее ИМС), а также стандартные компоненты;
обеспечить ремонтопригодность изделия, используя функционально-узловой метод конструирования.
На ранней стадии, процесс проектирования заключаться в рассмотрении подобных систем с подбором технологии электропитания. Перечислим факторы, что влияют на этот этап:
- стоимость;
масса и размеры;
коэффициент полезного действия блока питания;
входное напряжение;
срок действия аккумуляторной батареи;
необходимое качество выходящего напряжения;
время, необходимое для выхода продукции на рынок.
С целью обеспечения эстетических и эргономичных показателей, предлагается использовать современный дизайн.
Для обеспечения заданных климатических и механических требований предлагается использовать элементную базу и материалы, учитывая предельные внешние воздействия, которые негативно влияют на работоспособность изделия.
Другие статьи по теме
Малошумящий интегральный усилитель
полевой малошумящий
Проектирование полупроводниковых интегральных схем (ИС) является сложным
и многоэтапным процессом. Комплекс работ по проектированию включает синтез и
анализ схемы, оце ...
Анализ систем видеонаблюдения
Система
видеонаблюдения - система аппаратно-программных средств, с целью
видеонаблюдения.
Сегодня
системы видеонаблюдения являются одним из самых эффе ...
Методика проектирования многослойной печатной платы
1. Погонная
емкость сигнальных проводников
. Число
сигнальных проводников
. Число
потенциальных слоев
. Технологические
требования:
4.1. Пе ...