Главное


Расчет потребляемой мощности

Цель расчета:

Определение максимальной потребляемой мощности схемы, а так же требования к источнику питания при наладке и настройке схемы.

На основе полученных результатов выбирается источник питания.

Исходными данными для расчета является:

1. Схема электрическая принципиальная;

2. Справочник по интегральным микросхемам.

По схеме электрической принципиальной определяется тип и количество микросхем, по справочнику - потребляемая мощность одной микросхемы данного типа.

Расчет потребляемой суммарной мощности определяется по формуле:

Таблица 3 - расчет потребляемой мощности:

№ п\п

ИМСХ

Количество ИМСХ(n)

Рi, мВт

Рi К, мВт

1

К155ЛА3

2

90

180

2

К155ЛА4

4

90

360

3

К155ЛА1

1

90

90

4

К155ЛН1

1

173

173

потр = 803 мВт

Зная напряжение питания схемы, (Uпит = 5В ±5%) и суммарную потребляемую мощность по формуле определяем ток источника питания :

Iпит = Р∑ /U = 803мВт/4,75В = 183,7 мА

Следовательно, для наладки и настройки ТЭЗа необходим источник питания с напряжением 5В и током питания не менее 132,6 мА, что удовлетворяет техническим требованиям.

код программный схема двоичный

Заключение

На основании технических требований была разработана схема электрическая функциональная, схема электрическая принципиальная приоритета прерываний. Сделан расчет потребляемой мощности, быстродействия.

Задание выполнено полностью согласно техническим требованиям.

Приложение 1

Схема электрическая функциональная

Приложение 2

Схема электрическая принципиальная

Другие статьи по теме

Исследование эффективности и путей совершенствования алгоритмов регулирования мощности в системах сотовой связи различных стандартов
Влияние технологий мобильной̆ связи на нашу жизнь переоценить невозможно. Мобильная связь рассматривается в настоящее время как необходимость, а технологии мобильной̆ свя ...

Электропреобразовательные устройства РЭС
Курс «Электропреобразовательные устройства РЭС» является одной из первых инженерных дисциплин специальности «Радиотехника», обеспечивающей подготовку радиоинженера в области силовых рад ...

Исследование биполярного транзистора в статическом режиме
Биполярным транзистором называют трёхслойную полупроводниковую структуру с чередующимися типом проводимости областей, созданную в едином кристалле и образующую два встречно включённых вз ...

www.techspirit.ru © 2020