Главное


Исследование биполярного транзистора

. Исследовать зависимость тока коллектора от тока базы и напряжения база-эмиттер.

. Выполнить анализ зависимости коэффициента усиления по постоянному току от тока коллектора.

. Исследовать работу биполярного транзистора в режиме отсечки.

. Получить входные и выходные характеристики транзистора.

. Определить коэффициент передачи по переменному току.

. Исследовать динамическое входное сопротивление транзистора.

. Определение коэффициента передачи транзистора по постоянному току

Открываем файл с10_001.са4, содержащий схему:

а) Включаем схему. Записываем результаты измерения тока коллектора, тока базы и напряжения коллектор-эмиттер. По полученным результатам рассчитываем статический коэффициент передачи транзистора вDC.

- напряжение источника ЭДС Еб=5,7В

- ток базы транзистора Iв=49,19мкА

- ток коллектора транзистора Iк=10,69мкА

- напряжение коллектор-эмиттер Uкэ=10В

- статический коэффициент передачи транзистора вDC=217,32

б) Изменяем номинал источника ЭДС ЕБ до 2,68 В. Включаем схему. Аналогично получаем результаты:

- напряжение источника ЭДС Еб=2,68В

- ток базы транзистора Iв=19,24мкА

- ток коллектора транзистора Iк=4,089мА

- напряжение коллектор-эмиттер Uкэ=10В

- статический коэффициент передачи вDC=212,52

в) Изменяем номинал источника ЭДС ЕК до 5 В. Запускаем схему. Записываем результаты подобно действиям, выполненным в предыдущем пункте и устанавливаем ЕК равным 10В.

- напряжение источника ЭДС Еб=5В

- ток базы транзистора Iв=19,24мкА

- ток коллектора транзистора Iк=3,917мА

- напряжение коллектор-эмиттер Uкэ=5В

- статический коэффициент передачи вDC=203,58

. Измерение обратного тока коллектора

Изменяем номинал источника ЭДС Ев до 0В. Включаем схему, записываем результаты измерения тока коллектора для данных значений тока базы и напряжения коллектор-эмиттер:

Обратный ток коллектора IК0=10мкА

Ток базы транзистора IБ=0

Напряжение коллектор-эмиттер UКЭ=10В

. Получение выходной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.

Выходные характеристики исследуемого транзистора представлены в таблице:

Таблица 2.

0,10,5151020

1,66

9,423

831,8мкА

1,732мА

1,74мА

1,805мА

1,887мА

2,051мА

2,68

19,43

1,785мА

3,763мА

3,78мА

3,917мА

4,089мА

4,433мА

3,68

29,32

2,729мА

5,773мА

5,799мА

6,008мА

6,269мА

6,791мА

4,68

39,24

3,676мА

7,79мА

7,825мА

8,105мА

8,456мА

9,157мА

5,7

49,38

4,643мА

9,852мА

9,896мА

10,25мА

10,69мА

11,57мА

Перейти на страницу: 1 2 3

Другие статьи по теме

Микропроцессорный тахометр
Развитие микроэлектроники и широкое ее применение в промышленном производстве, в устройствах и системах управления самыми разнообразными объектами и процессами является в настоящее время ...

Характеристики сигналов в каналах связи
Беспроводные сети. Беспроводная Ethernet. Существует несколько технологий беспроводных сетей, использующих как радио-, так и инфракрасные волны. Эти технологии существуют уже несколько лет ...

Исследование принципов технической реализации и эффективности сигналов с ортогональной частотной модуляцией
Практически для всех типов современных радиосистем передачи информации характерна многоканальная или параллельная передача, при которой по общему высокочастотному тракту радиосистемы пер ...

www.techspirit.ru © 2021