Главное


Технологический процесс производства микроакселерометра

Технологические процессы изготовления микроакселерометра представлены его основными операциями. Укрупнённый технологический маршрут (рисунок 2.1 - рисунок 2.9) включает следующие этапы представляющие типовые технологические модули.

I. Химическая очистка кремниевых пластин (основания) перед нанесением первого диэлектрического слоя Si3N4 (Pre - LPCVD - clean)

Компоненты технологического модуля Pre - LPCVD - clean:

. Промывка в ванне со смесью H2SO4/H2O2 (перекись)

Концентрация 4:1

Время процесса 40 мин.

Область очистки - двусторонняя

Температура - 120оС

Оборудование - неметаллическая ванна

Диаметр пластин - 75мм, 100мм, 150мм

Держатель пластин - тефлоновый зажим

Толщина пластин - 200-550мкм

. Промывка в ванне с HCl/ H2O2 (перекись)

Концентрация 1:1.5

Время процесса 10 мин.

Температура - 70оС

Оборудование- полиэтиленовый контейнер

Диаметр пластин - 75мм, 100мм, 150мм

Держатель пластин - тефлоновый зажим

Толщина пластин - 300-550мкм

. Промывка в раствор HF/H2O

Концентрация HF/H2O - [1:50]

Время процесса 10 c

Область очистки - двусторонняя

Оборудование - керамическая промывочная ванна

Диаметр пластин - 75мм - 150мм

Держатель пластин - тефлоновый зажим

Толщина пластин - 200-550мкм

II. Осаждение слоя Si3N4 (изолирующий слой - толщина 0, 1-0, 8 мкм)

Компоненты модуля:

. Пиролитическое осаждение нитрида кремния Si3N4

Селективность процесса - высокая

Толщина слоя - 0,1 - 0,8 мкм

Технологическая среда - NH3 + SH4

(газ)

Скорость осаждения - 16 нм/мин.

Состав осаждаемого слоя - Si3N4

III. Осаждение слоя SiO2 (диоксида кремния) методом PECVD на слой Si3N4

Компоненты модуля:

Толщина слоя - 0,08 - 3 мкм

Технологическая среда - SiH4 +N2O3

Скорость осаждения - 40 нм/мин.

Состав осаждаемого слоя - SiO2

Структура слоя - аморфная

Давление в камере - 0,45*10-2 Па

Остаточное напряжение - 350 MPa (сжатие)

Время операции - 30 мин.

Температура - 430оС

Неоднородность слоя

по толщине - 0.07

Размеры пластины - 100 мм и более

Толщина пластины - 200 - 1000 мкм

Оборудование- типовое оборудование для пиролитического осаждения SiO2 (PECVD)

IV. Фотолитография шаблона мест крепления конструкции к подложке (контактный метод Shipley 1813)

Компоненты модуля:

. Предварительная термообработка

Температура - 110оС

Время процесса 15 мин.

Оборудование - сушильная печь

Диаметр пластин - 100 - 150 мм

Держатель пластин - лодочка

Толщина пластин - 100 - 2000 мкм

. Дегидратация поверхности

Характеристики процесса:

Материал - HMDS

Оборудование - установка для нанесения фоторезиста

Держатель пластин - металлический зажим

Толщина пластин - 100 - 1000 мкм

. Нанесение фоторезиста (Shipley 1813)

Характеристики процесса:

Материал - фоторезист Shipley 1813

Толщина - 1,3 мкм

Оборудование - установка для нанесения фоторезиста

. Сушка фоторезиста

Характеристики процесса:

Давление - атмосферное

Температура- 90оС

Перейти на страницу: 1 2 3

Другие статьи по теме

Аппаратная реализация модулярного сумматора и умножителя на базе ПЛИС
В настоящее время невозможно представить себе сложную автоматическую систему без того, чтобы ее центральную часть не составляли вычислительные машины, выполняющие функц ...

Цифровизация участка первичной сети связи
Развитие науки и техники способствовало развитию телекоммуникационных сетей как всего мира, так и Украины. Передача мультимедийного трафика на первичной сети связи Украины осуществляется ...

Исследование методов организации служебной связи при строительстве волоконно-оптических линий связи
Обеспечение массового доступа абонентов к современным телекоммуни-кационным и информационным услугам является одной из важнейших проблем в нашей стране. Актуальность этого вопроса возра ...

www.techspirit.ru © 2021