Главное


Определение геометрических размеров полевого транзистора Шоттки

С помощью пакета PSPICE получены геометрические размеры полевого транзистора с затвором Шоттки, который является основным элементом усилителя. Количество параллельных структур (затворов, истоков, стоков) в данном транзисторе десять. Это позволяет достичь достаточно большого усиления на высоких частотах.

Все размеры транзистора занесены в таблицу 2.1.

Рис.2.2 - Схематическое изображение транзистора Шоттки

Таблица 2.1 - Геометрические размеры полевого транзистора с затвором Шоттки.

Параметры

Значения, мкм

Толщина пленок

толщина металлизации затвора Hmg

1.2

толщина металлизации истока Hms

1.4

толщина металлизации стока Hmd

1.4

Полупроводниковая структура

толщина эпитаксиального N - слоя an

0.1

толщина канала под затвором ak

0.06

толщина эпитаксиального N+ - слоя an+

0.2

Планарные размеры

ширина затвора (длина пальца затвора) W

25

длина затвора (ширина пальца затвора) L

0.2

ширина пальцев истока Ls

20

ширина пальцев стока Ld

20

Расстояния

расстояние от края затвора до края истока Lsg

2

расстояние от края затвора до края стока Ldg

2

расстояние от края истока до лунки затвора Lsn

1.75

расстояние от края стока до лунки затвора Ldn

1.75

Другие статьи по теме

Микропроцессорный тахометр
Развитие микроэлектроники и широкое ее применение в промышленном производстве, в устройствах и системах управления самыми разнообразными объектами и процессами является в настоящее время ...

Исследование влияния параметров движения объекта, находящегося за препятствием, на эффективность улучшения его радиоголографического изображения методом пространственной фильтрации
моделирование изображение радиоголографический компьютерный Тема работы весьма актуальна, поскольку в наше время может возникнуть необходимость в обнаружении людей, объектов за различными ...

Информационно-измерительная система
Целью данной курсовой работы является анализ информационно-измерительной системы (ИИС), определение типа топологии и оптимального пространственного расположения объектов ИИС, при которо ...

www.techspirit.ru © 2019