Главное


Определение геометрических размеров полевого транзистора Шоттки

С помощью пакета PSPICE получены геометрические размеры полевого транзистора с затвором Шоттки, который является основным элементом усилителя. Количество параллельных структур (затворов, истоков, стоков) в данном транзисторе десять. Это позволяет достичь достаточно большого усиления на высоких частотах.

Все размеры транзистора занесены в таблицу 2.1.

Рис.2.2 - Схематическое изображение транзистора Шоттки

Таблица 2.1 - Геометрические размеры полевого транзистора с затвором Шоттки.

Параметры

Значения, мкм

Толщина пленок

толщина металлизации затвора Hmg

1.2

толщина металлизации истока Hms

1.4

толщина металлизации стока Hmd

1.4

Полупроводниковая структура

толщина эпитаксиального N - слоя an

0.1

толщина канала под затвором ak

0.06

толщина эпитаксиального N+ - слоя an+

0.2

Планарные размеры

ширина затвора (длина пальца затвора) W

25

длина затвора (ширина пальца затвора) L

0.2

ширина пальцев истока Ls

20

ширина пальцев стока Ld

20

Расстояния

расстояние от края затвора до края истока Lsg

2

расстояние от края затвора до края стока Ldg

2

расстояние от края истока до лунки затвора Lsn

1.75

расстояние от края стока до лунки затвора Ldn

1.75

Другие статьи по теме

Диспетчерская централизация на базе комплекса технических средств Неман
Диспетчерская централизация (ДЦ) - это комплекс устройств железнодорожной автоматики и телемеханики, состоящий из автоблокировки на перегонах, электрической централизации стрелок ...

Антенно-фидерные устройства
«Хорошая антенна - лучший усилитель высокой частоты» Радиосвязь между двумя пунктами, расположенными на поверхности Земли осуществляется пространственными и поверхностными волнами. ...

Локальная вычислительная сеть
Введение Компьютеры появились в жизни человека не так уж давно, но почти любой человек может с твердой уверенностью сказать, что будущее - за компьютерными технологиями. Процесс развит ...

www.techspirit.ru © 2020