Главное


Определение толщины обедненной области

Рис. 2.1 - Схематическое изображение полевого транзистора

С точки зрения функционирования ПТШ (см. рисунок 2.1) может рассматриваться как резистор с переменным сечением и, следовательно, переменным сопротивлением.

Под затвором, за счет образования барьера металл-полупроводник, даже без воздействия внешних напряжений, автоматически создается область, обедненная основными носителями заряда (на рисунке 2.1.а она показана как наиболее светлая область). Толщина обедненной области зависит от значения контактной разности потенциалов барьера Ub и определяется по формуле (2.1).

(2.1)

где q - элементарный заряд (q=1.6×10-19 Кл);

e0 - диэлектрическая постоянная (e0=8.85×10-12 Ф/м);

e - относительная диэлектрическая проницаемость GaAs (e=12.9);

N - концентрация основных носителей заряда (N=1024 м-3);

Ub - контактная разность потенциалов барьера (Vb=0.8 В).

м

Так как толщина области обеднения много меньше толщины эпитаксиального n-слоя (an=0,1 мк м), то используется транзистор с нормально открытым каналом.

Другие статьи по теме

Устройство управления шаговым двигателем
На сегодняшнем этапе развития информационных технологий, все шире внедряются в производство с системой автоматизированного управления. На ряду с такими важными элементами, как первичные ...

Информационно-измерительная система
Целью данной курсовой работы является анализ информационно-измерительной системы (ИИС), определение типа топологии и оптимального пространственного расположения объектов ИИС, при которо ...

Задачи и полномочия ФССП России
Федеральная служба судебных приставов (ФССП России) - федеральный орган исполнительной власти, осуществляющий функции по обеспечению установленного порядка деятельности судов, исполнени ...

www.techspirit.ru © 2019