Главное


Определение толщины обедненной области

Рис. 2.1 - Схематическое изображение полевого транзистора

С точки зрения функционирования ПТШ (см. рисунок 2.1) может рассматриваться как резистор с переменным сечением и, следовательно, переменным сопротивлением.

Под затвором, за счет образования барьера металл-полупроводник, даже без воздействия внешних напряжений, автоматически создается область, обедненная основными носителями заряда (на рисунке 2.1.а она показана как наиболее светлая область). Толщина обедненной области зависит от значения контактной разности потенциалов барьера Ub и определяется по формуле (2.1).

(2.1)

где q - элементарный заряд (q=1.6×10-19 Кл);

e0 - диэлектрическая постоянная (e0=8.85×10-12 Ф/м);

e - относительная диэлектрическая проницаемость GaAs (e=12.9);

N - концентрация основных носителей заряда (N=1024 м-3);

Ub - контактная разность потенциалов барьера (Vb=0.8 В).

м

Так как толщина области обеднения много меньше толщины эпитаксиального n-слоя (an=0,1 мк м), то используется транзистор с нормально открытым каналом.

Другие статьи по теме

Блок управления для автоматизированной системы проверки межблочного монтажа
При автоматизации производственных и технологических процессов в промышленности, научных исследованиях и создании новой техники требуется за ограниченное время одновременно измерять, ре ...

Моделирование в системе MICRO-CAP измерительных преобразователей на основе датчиков температуры
В наше время измерению температуры придается большое значение в различных отраслях промышленного производства. Температура является наиболее массовым и, зачастую, решающим параметром, ха ...

Микропроцессорный тахометр
Развитие микроэлектроники и широкое ее применение в промышленном производстве, в устройствах и системах управления самыми разнообразными объектами и процессами является в настоящее время ...

www.techspirit.ru © 2021