Главное


Определение толщины обедненной области

Рис. 2.1 - Схематическое изображение полевого транзистора

С точки зрения функционирования ПТШ (см. рисунок 2.1) может рассматриваться как резистор с переменным сечением и, следовательно, переменным сопротивлением.

Под затвором, за счет образования барьера металл-полупроводник, даже без воздействия внешних напряжений, автоматически создается область, обедненная основными носителями заряда (на рисунке 2.1.а она показана как наиболее светлая область). Толщина обедненной области зависит от значения контактной разности потенциалов барьера Ub и определяется по формуле (2.1).

(2.1)

где q - элементарный заряд (q=1.6×10-19 Кл);

e0 - диэлектрическая постоянная (e0=8.85×10-12 Ф/м);

e - относительная диэлектрическая проницаемость GaAs (e=12.9);

N - концентрация основных носителей заряда (N=1024 м-3);

Ub - контактная разность потенциалов барьера (Vb=0.8 В).

м

Так как толщина области обеднения много меньше толщины эпитаксиального n-слоя (an=0,1 мк м), то используется транзистор с нормально открытым каналом.

Другие статьи по теме

Цифровизация участка первичной сети связи
Развитие науки и техники способствовало развитию телекоммуникационных сетей как всего мира, так и Украины. Передача мультимедийного трафика на первичной сети связи Украины осуществляется ...

Исследование алгоритма оценивания стохастических динамических систем
Целью данной работы является исследование алгоритма оценивания стохастических динамических систем называемого Фильтром Калмана. Задачей работы помимо исследования алгоритма является реа ...

Выбор и расчёт трассы прокладки волоконно-оптического кабеля
В современном информационном мире каждые пять лет объём передаваемой информации увеличивается вдвое, соответственно, встаёт задача передачи большого количества информации с максимальной ...

www.techspirit.ru © 2020