Главное


Расчет параметров радиатора

Необходимо подобрать радиатор для охлаждения транзистора KT605, рассеивающего мощность Ф = 1,8 Вт и находящегося внутри блока. Контакт транзистора с радиатором осуществлен по площади Aи = 0,085 м2; внутреннее тепловое сопротивление прибора Rвн = 40 °С/Вт, тепловое сопротивление контакта Rк = 1,2 °С/Вт, допустимая температура коллекторного перехода в транзисторе tр доп = 125 °С; условия теплообмена - свободная конвекция, температура воздуха в блоке tс = 50 °С.

По формуле (4.7) определяем температуру tи в месте крепления транзистора

tи - tc = (125 - 50) - 1,8Ч(40 +1,2) = 0,84 °С.

В первом приближении принимаем bI = 1,2 и находим

- tc = = 0,7 К

Задаем из дополнительных соображений в первом приближении площадь A основания; пусть A = 0,170,1 = 0,02 м2. Тогда плотность теплового потока

= Вт/м2.

По графику, приведенному на рисунке Б.12 /1/ для ts - tс = 0,7 К и q = 90 Вт/м2, определяем возможный тип радиатора в условиях свободной конвекции.

Как следует из графиков, необходимо выбрать пластичный радиатор при свободной конвекции.

По формуле (4.1) определяем коэффициент эффективной теплоотдачи, необходимый для обеспечения заданного теплового режима

Вт/(м2∙К)

По графикам, представленным на рисунке Б.8 /1/, следует выбрать пластинчатый радиатор с L1=40 мм., L2=40мм.

Находим по формуле (4.9) второе приближение bII, полагая aэф = a1 + a2, а также выбирая материал радиатора, например дюралюминия l = 170 Вт/(мЧК) (см. таблицу А.1 /1/)

B = = 0,75

По графику представленному на рисунке 4.2 находим bII.

Рисунок 4.2 - Зависимость

Полученное значение βII = 1.

Уточняем перегрев, рассчитанный при bI = 1,2 для значения βII = 1

К

Уточняем размер основания и тип радиатора. Согласно графику, приведенному на рисунке Б.12 /1/, при и q=90 Вт/м2 тип радиатора остается прежним.

Находим по прежней схеме новое значение βIII = 1, то есть дальнейшие уточнения проводить не имеет смысла, так как βII = βIII.

Окончательно останавливаемся на радиаторе пластинчатого типа из дюралюминия с площадью основания А = 0,02 м2 (L1 = 0,17, L2 = 0,1 мм) и d = 0,002 м. Эскиз радиатора приведен на рисунке

Рисунок 4.2 - Эскиз радиатора

Конструктивно радиатор выполнен в виде задней стенки корпуса блока, на нем закреплены все 3 транзистора.

В результате выполнения курсовой работы был выбран способ охлаждения радиоэлектронной аппаратуры, рассчитан тепловой режим и выбран радиатор. По результатам проведенных расчетов было выявлено, что дополнительный отвод тепла от элементов, то есть применение радиатора, не требуется. Так как максимальный перегрев элемента составляет 12,6 °С при температуре окружающей среды 50 °С. Это говорит о том, что все транзисторы работают в нормальном тепловом режиме. Все же расчет радиатора был произведен, так как это является одним из условий технического задания. В результате проведения расчетов получили, что в данном случае подходит радиатор пластинчатого типа. Конструктивно выполнили его в виде задней стенки корпуса блока, с расположением на нем всех транзисторов.

Другие статьи по теме

Исследование алгоритма оценивания стохастических динамических систем
Целью данной работы является исследование алгоритма оценивания стохастических динамических систем называемого Фильтром Калмана. Задачей работы помимо исследования алгоритма является реа ...

Анализ прохождения периодического сигнала через LC-фильтр с потерями
Дисциплина "Основы теории цепей" является важнейшей дисциплиной в подготовке специалиста направления "Радиотехника". Данный курс лекций помогает студентам приобретать ...

Исследование щелевой антенной решетки
микроэлектроника антенный программа В диапазон СВЧ микроэлектроника начала внедряться в последнюю очередь, примерно в середине 60-х годов прошлого века. В первую очередь это связано с тр ...

www.techspirit.ru © 2019