Главное


Построение семейства выходных вольтамперных характеристик

Построим семейства выходных ВАХ выходных транзисторов оконечного каскада. Строятся они при использовании справочной зависимости коэффициента передачи тока одного из транзисторов выходной цепи, принятых в подразделе 3.2, от тока коллектора или тока эмиттера. График зависимости или в общем случае имеет вид (рисунок 6):

Рисунок 6 - Зависимость коэффициента передачи тока транзистора от тока коллектора (эмиттера)

Для построения семейства выходных ВАХ транзистора (рисунок 8) находятся значения коэффициентов β или h21э для каждого из значений принятых токов. Обычно принимаются 6 - 8 значений токов. Исходя из найденных величин h21эi при i-ом значении тока определяются значения токов базы

. (37)

Зависимость коэффициента передачи тока транзистора от тока коллектора (эмиттера) приведем из [4]:

Рисунок 7 - Зависимость коэффициента передачи тока транзистора КТ630А от тока коллектора (эмиттера)

Все значения токов коллектора (эмиттера) и найденные коэффициенты h21э и токи Iбi заносятся в таблицу 5.

Таблица 5 - Значения Iк, h21э, Iбi.

Iк (мА)

h21э

Iбi (мкА)

20

90

222

30

98

306

40

105

380

60

110

550

80

112

710

100

114

880

120

112

1070

Если транзисторы выходной цепи оконечного каскада работают по схеме с общим эмиттером, то семейство выходных ВАХ имеет зависимость вида Iк=f (Uкэ). По оси абсцисс при значении напряжения Uкэ, равным 2 - 5В, проводится вертикальная линия, на которой токов коллектора и токов базы транзистора и проводятся горизонтальные линии.

Под углом наклона к оси абсцисс, зависящим от сопротивления r/б базы транзистора, под углом с параметром через начало координат проводится линия критических режимов. Также угол наклона линии критических режимов можно принять из справочной литературы. При этом, проведенные ранее горизонтальные линии коллекторных токов должны находиться справа от линии критических режимов. Так как полученные значения базовых токов имеют разные значения не кратные величинам 50, 100 мкА, то следует аппроксимировать линии коллекторных токов в соответствии с этими требованиями. Пример аппроксимации показан на рисунке 8.

Рисунок 8 - К построению выходных ВАХ транзистора

С учетом выходного сопротивления транзистора горизонтальным аппроксимированным линиям коллекторных токов следует придать наклон. Причем угол наклона будет непостоянным, так как он зависит от коэффициента h21э, который сам в свою очередь зависит от коллекторного тока (рисунок 6). Влияние выходного сопротивления транзистора на положение линий коллекторного тока показано на рисунке 9.

Рисунок 9 - К учету выходного сопротивления транзистора на положение линии коллекторного тока на ВАХ

Задаваясь максимально возможным значением приращения напряжения ∆Uкэ, следует определить приращение коллекторного тока с учетом выражения

. (38)

С другой стороны

. (39)

Сопротивление коллекторного перехода зависит от выбранного транзистора, а параметр βi определяется зависимостью, показанной на рисунке 6. Таким образом, наклон линии коллекторного тока на семействе ВАХ определяется величиной выходного сопротивления транзистора rкэ.

Перейти на страницу: 1 2

Другие статьи по теме

Аппаратная реализация модулярного сумматора и умножителя на базе ПЛИС
В настоящее время невозможно представить себе сложную автоматическую систему без того, чтобы ее центральную часть не составляли вычислительные машины, выполняющие функц ...

Малошумящий усилитель с устройством защиты входа от просачивающейся высокой мощности СВЧ
При интенсивной эксплуатации радиолокационных станций (РЛС) рано или поздно встает вопрос об их ремонте, техническом обслуживании и замене выработавших ресурс комплектующих, включая мал ...

Исследование принципов технической реализации и эффективности сигналов с ортогональной частотной модуляцией
Практически для всех типов современных радиосистем передачи информации характерна многоканальная или параллельная передача, при которой по общему высокочастотному тракту радиосистемы пер ...

www.techspirit.ru © 2020