Главное


Построение семейства выходных вольтамперных характеристик

Построим семейства выходных ВАХ выходных транзисторов оконечного каскада. Строятся они при использовании справочной зависимости коэффициента передачи тока одного из транзисторов выходной цепи, принятых в подразделе 3.2, от тока коллектора или тока эмиттера. График зависимости или в общем случае имеет вид (рисунок 6):

Рисунок 6 - Зависимость коэффициента передачи тока транзистора от тока коллектора (эмиттера)

Для построения семейства выходных ВАХ транзистора (рисунок 8) находятся значения коэффициентов β или h21э для каждого из значений принятых токов. Обычно принимаются 6 - 8 значений токов. Исходя из найденных величин h21эi при i-ом значении тока определяются значения токов базы

. (37)

Зависимость коэффициента передачи тока транзистора от тока коллектора (эмиттера) приведем из [4]:

Рисунок 7 - Зависимость коэффициента передачи тока транзистора КТ630А от тока коллектора (эмиттера)

Все значения токов коллектора (эмиттера) и найденные коэффициенты h21э и токи Iбi заносятся в таблицу 5.

Таблица 5 - Значения Iк, h21э, Iбi.

Iк (мА)

h21э

Iбi (мкА)

20

90

222

30

98

306

40

105

380

60

110

550

80

112

710

100

114

880

120

112

1070

Если транзисторы выходной цепи оконечного каскада работают по схеме с общим эмиттером, то семейство выходных ВАХ имеет зависимость вида Iк=f (Uкэ). По оси абсцисс при значении напряжения Uкэ, равным 2 - 5В, проводится вертикальная линия, на которой токов коллектора и токов базы транзистора и проводятся горизонтальные линии.

Под углом наклона к оси абсцисс, зависящим от сопротивления r/б базы транзистора, под углом с параметром через начало координат проводится линия критических режимов. Также угол наклона линии критических режимов можно принять из справочной литературы. При этом, проведенные ранее горизонтальные линии коллекторных токов должны находиться справа от линии критических режимов. Так как полученные значения базовых токов имеют разные значения не кратные величинам 50, 100 мкА, то следует аппроксимировать линии коллекторных токов в соответствии с этими требованиями. Пример аппроксимации показан на рисунке 8.

Рисунок 8 - К построению выходных ВАХ транзистора

С учетом выходного сопротивления транзистора горизонтальным аппроксимированным линиям коллекторных токов следует придать наклон. Причем угол наклона будет непостоянным, так как он зависит от коэффициента h21э, который сам в свою очередь зависит от коллекторного тока (рисунок 6). Влияние выходного сопротивления транзистора на положение линий коллекторного тока показано на рисунке 9.

Рисунок 9 - К учету выходного сопротивления транзистора на положение линии коллекторного тока на ВАХ

Задаваясь максимально возможным значением приращения напряжения ∆Uкэ, следует определить приращение коллекторного тока с учетом выражения

. (38)

С другой стороны

. (39)

Сопротивление коллекторного перехода зависит от выбранного транзистора, а параметр βi определяется зависимостью, показанной на рисунке 6. Таким образом, наклон линии коллекторного тока на семействе ВАХ определяется величиной выходного сопротивления транзистора rкэ.

Перейти на страницу: 1 2

Другие статьи по теме

Методы снижения нелинейных искажений в тракте звуковой частоты
В связи с всё расширяющимся в последнее время распространением бытовой звуковоспроизводящей аппаратуры особенно большое значение стало уделяться бытовым акустическим системам (БАС ...

Кодек сигнала моноадресной системы
Для представления видеопотока в цифровом виде пришлось решить немало проблем. Большие сложности составила проблема совместимости с существующими аналоговыми форматами (PAL, SECAM, NTSC). ...

Исследование и разработка конструкции широкополосного симметрирующего устройства
На сегодняшний день развитие НТП (научно технический прогресс) в области электроники все чаще приводит к созданию новых типов электронных приборов и к возможности проектирования на их ос ...

www.techspirit.ru © 2019