Главное

• Стартовая страница
• Методы и методики цифровых технологий
• Локальные системы управления
• Источник бесперебойного питания
• Автоматизация технологических процессов и производств
• Автоматическая система контроля и управления заполнением резервуаров
• Технология идентификации по голосу Voice Key
• Технология беспроводной связи Wi-Fi и Вluetooth

Модуль внешней памяти команд

Так как ВЕ31 не имеет внутренней памяти команд, то для хранения программного обеспечения необходимо подключить внешнюю память команд (ВПК). При обращениях к внешней памяти программ всегда формируется 16-разрядный адрес, младший байт которого выдается через порт Р0, а старший - через порт Р2. При этом байт адреса, выдаваемый через порт Р0, должен быть зафиксирован во внешнем регистре по спаду сигнала ALE, т.к. в дальнейшем линии порта Р0 используются в качестве шины данных, по которой байт из внешней памяти программ вводится в МК. Порт Р0 работает как шина адрес/данные: выдает младший байт счетчика команд, а затем переходит в высокоимпедансное состояние и ожидает прихода байта из ПЗУ программ. Когда младший байт адреса находится на выходах порта Р0, сигнал ALE защелкивает его в адресном регистре RG. Старший байт адреса находится на выходах порта Р2 в течение всего времени обращения к ПЗУ. Сигнал РSЕN разрешает выборку байта из ПЗУ, после чего выбранный байт поступает на порт Р0 МК.

В качестве ВПК используем микросхему КР573РФ5. Эта ПЗУ выполнена по ЛИПЗМОП - технологии (лавинно - инжекционные МОП - элементы памяти с плавающим затвором). При программировании в плавающий затвор инжектируются генерируемые в канале МОП - транзистора электроны, под воздействием высокого приложенного напряжения набирают для прохождения сквозь тонкий затворный окисел. Накопленные в плавающем затворе электроны экранируют действие управляющего затвора и МОП - транзистор ток не проводит. При выборе такой ячейки на выходе ПЗУ будет получен логический "0". В исходном состоянии сигналы на всех выходах равны "1". ПЗУ имеет окно, закрытое кварцевым стеклом, которое проводит УФ - излучение. Под воздействием УФ - лучей электроны приобретают энергию и покидают плавающий затвор. Длительность стирания равна примерно 30 мин при длине волны 400 нм и энергетической освещённости 100 Вт/м2.

Рис.3.6 Модуль внешней памяти команд

Режим чтения /записи выбирается сигналом на входе ОЕ.

Программно внешняя память команд помещается в нулевой банк памяти (МВО).

Таблица 3.6. Параметры ПЗУ КР573РФ5

Таблица 3.7

Режимы работы ПЗУ КР573РФ5

Другие статьи по теме

Исследование динамических характеристик системы автоматического управления
При проектировании автоматических систем приходиться решать такие задачи, как обеспечение устойчивости и точности процесса регулирования, имеющие противоречивый характ ...

Технологический процесс изготовления платы интегральной микросхемы-фильтра
Микроэлектроника как современное направление проектирования и производства электронной аппаратуры различного назначения является катализатором научно-технического прогресса. Автоматизац ...

Генератор линейно-изменяющихся напряжений
Генераторы синусоидального напряжения отличаются тем, что у них цепь обратной связи имеет резонансные свойства. Поэтому условия возникновения колебаний выполняются только на одной частот ...