Главное


Модуль внешней памяти команд

Так как ВЕ31 не имеет внутренней памяти команд, то для хранения программного обеспечения необходимо подключить внешнюю память команд (ВПК). При обращениях к внешней памяти программ всегда формируется 16-разрядный адрес, младший байт которого выдается через порт Р0, а старший - через порт Р2. При этом байт адреса, выдаваемый через порт Р0, должен быть зафиксирован во внешнем регистре по спаду сигнала ALE, т.к. в дальнейшем линии порта Р0 используются в качестве шины данных, по которой байт из внешней памяти программ вводится в МК. Порт Р0 работает как шина адрес/данные: выдает младший байт счетчика команд, а затем переходит в высокоимпедансное состояние и ожидает прихода байта из ПЗУ программ. Когда младший байт адреса находится на выходах порта Р0, сигнал ALE защелкивает его в адресном регистре RG. Старший байт адреса находится на выходах порта Р2 в течение всего времени обращения к ПЗУ. Сигнал РSЕN разрешает выборку байта из ПЗУ, после чего выбранный байт поступает на порт Р0 МК.

В качестве ВПК используем микросхему КР573РФ5. Эта ПЗУ выполнена по ЛИПЗМОП - технологии (лавинно - инжекционные МОП - элементы памяти с плавающим затвором). При программировании в плавающий затвор инжектируются генерируемые в канале МОП - транзистора электроны, под воздействием высокого приложенного напряжения набирают для прохождения сквозь тонкий затворный окисел. Накопленные в плавающем затворе электроны экранируют действие управляющего затвора и МОП - транзистор ток не проводит. При выборе такой ячейки на выходе ПЗУ будет получен логический "0". В исходном состоянии сигналы на всех выходах равны "1". ПЗУ имеет окно, закрытое кварцевым стеклом, которое проводит УФ - излучение. Под воздействием УФ - лучей электроны приобретают энергию и покидают плавающий затвор. Длительность стирания равна примерно 30 мин при длине волны 400 нм и энергетической освещённости 100 Вт/м2.

Рис.3.6 Модуль внешней памяти команд

Режим чтения /записи выбирается сигналом на входе ОЕ.

Программно внешняя память команд помещается в нулевой банк памяти (МВО).

Таблица 3.6. Параметры ПЗУ КР573РФ5

Емкость

2Кх8

Максимальное время выборки адреса

450 нс

Напряжение питания

5 В ±5%

Ток потребления

100 мА

Срок работоспособности

15000.25000ч

Таблица 3.7

Режимы работы ПЗУ КР573РФ5

CS

ОЕ

U PR. В

режим

1 (t=50мc)

1

25

Запись

0

0

25

Контроль записи

0

0

5

Считывание

1

X

5

Хранение

Другие статьи по теме

Блоки и агрегаты системы автоматического управления, регулирования, защиты, контроля и диагностики газотурбинной энергоустановки ГТА-6РМ
Целью расчётов является определение ожидаемых показателей надёжности САУ ГТА-6РМ. В состав САУ ГТА-6РМ входят: БУД-6РМ (8Т1.001.013), состоящий из плат 5088, 5600, 5300, АСВК, ПНВ ...

Использование микроконтроллеров при проектировании цифрового вольтметра
Основной задачей при проектировании измерительных приборов было и остается достижение определенных метрологических характеристик. На разных этапах развития вычислительной техники эта зад ...

Устройство сбора данных web-камера
Телевидение - это передача изображения на расстояние с помощью электронных устройств. При передаче изображения формируются электрические сигналы элементов изображения, при этом один кадр из ...

www.domen.ru © 2019