Главное


Модуль внешней памяти команд

Так как ВЕ31 не имеет внутренней памяти команд, то для хранения программного обеспечения необходимо подключить внешнюю память команд (ВПК). При обращениях к внешней памяти программ всегда формируется 16-разрядный адрес, младший байт которого выдается через порт Р0, а старший - через порт Р2. При этом байт адреса, выдаваемый через порт Р0, должен быть зафиксирован во внешнем регистре по спаду сигнала ALE, т.к. в дальнейшем линии порта Р0 используются в качестве шины данных, по которой байт из внешней памяти программ вводится в МК. Порт Р0 работает как шина адрес/данные: выдает младший байт счетчика команд, а затем переходит в высокоимпедансное состояние и ожидает прихода байта из ПЗУ программ. Когда младший байт адреса находится на выходах порта Р0, сигнал ALE защелкивает его в адресном регистре RG. Старший байт адреса находится на выходах порта Р2 в течение всего времени обращения к ПЗУ. Сигнал РSЕN разрешает выборку байта из ПЗУ, после чего выбранный байт поступает на порт Р0 МК.

В качестве ВПК используем микросхему КР573РФ5. Эта ПЗУ выполнена по ЛИПЗМОП - технологии (лавинно - инжекционные МОП - элементы памяти с плавающим затвором). При программировании в плавающий затвор инжектируются генерируемые в канале МОП - транзистора электроны, под воздействием высокого приложенного напряжения набирают для прохождения сквозь тонкий затворный окисел. Накопленные в плавающем затворе электроны экранируют действие управляющего затвора и МОП - транзистор ток не проводит. При выборе такой ячейки на выходе ПЗУ будет получен логический "0". В исходном состоянии сигналы на всех выходах равны "1". ПЗУ имеет окно, закрытое кварцевым стеклом, которое проводит УФ - излучение. Под воздействием УФ - лучей электроны приобретают энергию и покидают плавающий затвор. Длительность стирания равна примерно 30 мин при длине волны 400 нм и энергетической освещённости 100 Вт/м2.

Рис.3.6 Модуль внешней памяти команд

Режим чтения /записи выбирается сигналом на входе ОЕ.

Программно внешняя память команд помещается в нулевой банк памяти (МВО).

Таблица 3.6. Параметры ПЗУ КР573РФ5

Емкость

2Кх8

Максимальное время выборки адреса

450 нс

Напряжение питания

5 В ±5%

Ток потребления

100 мА

Срок работоспособности

15000.25000ч

Таблица 3.7

Режимы работы ПЗУ КР573РФ5

CS

ОЕ

U PR. В

режим

1 (t=50мc)

1

25

Запись

0

0

25

Контроль записи

0

0

5

Считывание

1

X

5

Хранение

Другие статьи по теме

Исследование динамических характеристик системы автоматического управления
При проектировании автоматических систем приходиться решать такие задачи, как обеспечение устойчивости и точности процесса регулирования, имеющие противоречивый характ ...

Технологический процесс изготовления платы интегральной микросхемы-фильтра
Микроэлектроника как современное направление проектирования и производства электронной аппаратуры различного назначения является катализатором научно-технического прогресса. Автоматизац ...

Генератор линейно-изменяющихся напряжений
Генераторы синусоидального напряжения отличаются тем, что у них цепь обратной связи имеет резонансные свойства. Поэтому условия возникновения колебаний выполняются только на одной частот ...

www.techspirit.ru © 2019