Так как ВЕ31 не имеет внутренней памяти команд, то для хранения программного обеспечения необходимо подключить внешнюю память команд (ВПК). При обращениях к внешней памяти программ всегда формируется 16-разрядный адрес, младший байт которого выдается через порт Р0, а старший - через порт Р2. При этом байт адреса, выдаваемый через порт Р0, должен быть зафиксирован во внешнем регистре по спаду сигнала ALE, т.к. в дальнейшем линии порта Р0 используются в качестве шины данных, по которой байт из внешней памяти программ вводится в МК. Порт Р0 работает как шина адрес/данные: выдает младший байт счетчика команд, а затем переходит в высокоимпедансное состояние и ожидает прихода байта из ПЗУ программ. Когда младший байт адреса находится на выходах порта Р0, сигнал ALE защелкивает его в адресном регистре RG. Старший байт адреса находится на выходах порта Р2 в течение всего времени обращения к ПЗУ. Сигнал РSЕN разрешает выборку байта из ПЗУ, после чего выбранный байт поступает на порт Р0 МК.
В качестве ВПК используем микросхему КР573РФ5. Эта ПЗУ выполнена по ЛИПЗМОП - технологии (лавинно - инжекционные МОП - элементы памяти с плавающим затвором). При программировании в плавающий затвор инжектируются генерируемые в канале МОП - транзистора электроны, под воздействием высокого приложенного напряжения набирают для прохождения сквозь тонкий затворный окисел. Накопленные в плавающем затворе электроны экранируют действие управляющего затвора и МОП - транзистор ток не проводит. При выборе такой ячейки на выходе ПЗУ будет получен логический "0". В исходном состоянии сигналы на всех выходах равны "1". ПЗУ имеет окно, закрытое кварцевым стеклом, которое проводит УФ - излучение. Под воздействием УФ - лучей электроны приобретают энергию и покидают плавающий затвор. Длительность стирания равна примерно 30 мин при длине волны 400 нм и энергетической освещённости 100 Вт/м2.
Рис.3.6 Модуль внешней памяти команд
Режим чтения /записи выбирается сигналом на входе ОЕ.
Программно внешняя память команд помещается в нулевой банк памяти (МВО).
Таблица 3.6. Параметры ПЗУ КР573РФ5
Емкость |
2Кх8 |
Максимальное время выборки адреса |
450 нс |
Напряжение питания |
5 В ±5% |
Ток потребления |
100 мА |
Срок работоспособности |
15000.25000ч |
Таблица 3.7
Режимы работы ПЗУ КР573РФ5
CS |
ОЕ |
U PR. В |
режим |
1 (t=50мc) |
1 |
25 |
Запись |
0 |
0 |
25 |
Контроль записи |
0 |
0 |
5 |
Считывание |
1 |
X |
5 |
Хранение |
Другие статьи по теме
Использование IP-телефонии при ликвидации чрезвычайных ситуаций
Без
широкого применения средств связи, автоматизированных систем управления,
использующих современные информационные, коммуникационные технологии и новейшую
вычислительную технику, нево ...
Исследование биполярного транзистора в статическом режиме
Биполярным транзистором называют трёхслойную полупроводниковую структуру
с чередующимися типом проводимости областей, созданную в едином кристалле и
образующую два встречно включённых вз ...
Усилитель мощности переменного сигнала
Темой курсовой работы является разработка усилителя мощности
переменного сигнала. Усилитель имеет дифференциальный вход, бестрансформаторный
выход и плавную регулировку усиления от «0» д ...